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IXTA300N04T2
IXTP300N04T2
180
Fig. 7. Input Admittance
160
Fig. 8. Transconductance
160
140
120
100
80
T J = 150oC
25oC
140
120
100
80
T J = - 40oC
25oC
150oC
60
40
20
0
- 40oC
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
320
280
240
200
160
10
9
8
7
6
5
V DS = 20V
I D = 150A
I G = 10mA
120
80
40
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
100,000
f = 1 MHz
1,000
R DS( on ) Limit
25μs
10,000
Ciss
100
100μs
External Lead Current Limit
1ms
Coss
1,000
10
10ms
Crss
T J = 175oC
T C = 25oC
DC
100ms
Single Pulse
100
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_300N04T2(V6)08-14-08
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